Андрей Гейм Лауреат Нобелевской премии по физике 2010 года Дата рождения: 21.10.1958 Страна: Нидерланды

Биография Андрея Гейма

Андрей Константинович Гейм родился 21 октября 1958 года в Сочи. Его родители, Константин Алексеевич Гейм и Нина Николаевна Байер, были инженерами, по национальности - поволжскими немцами. С 1965 по 1975 год Гейм жил и учился в школе №3 в Нальчике, которую окончил с золотой медалью.

После окончания школы Гейм попытался поступить в Московский инженерно-физический институт (МИФИ), однако его отказались принимать из-за национальности. Он проработал слесарем на Нальчикском электровакуумном заводе, работающем под руководством его отца, главного инженера завода. В 1976 году Гейм поступил в Московский физико-технический институт (МФТИ), где защитил диплом в 1982 году.

После окончания института Гейм начал работать аспирантом в Институте физики твердого тела АН СССР (ИФТТ). В 1987 году он защитил кандидатскую диссертацию и работал научным сотрудником в Институте проблем микроэлектроники и особочистых материалов в Черноголовке. В 1990 году Гейм отправился на стажировку в Великобританию, где затем продолжил работу в университетах Бат и Копенгагена.

В 2000 году Гейм принял приглашение в Манчестерский университет и стал профессором физики. Вместе со своим учеником Константином Новоселовым он открыл графен - двумерный слой графита толщиной в один атом. За это открытие Гейм получил множество премий и наград, включая Нобелевскую премию по физике в 2010 году.

Гейм женат на Ирине Григорьевой, русской ученой, и у них есть дочь. Он увлекается альпинизмом и в свободное время занимается этим видом спорта.