Курт Леговец Чешский, впоследствии американский, физик и изобретатель, исследователь полупроводников. Дата рождения: 12.07.1918

1. Юность и образование
2. Оккупация и научная работа
3. Военная служба и дальнейшие исследования
4. Операция "Скрепка" и иммиграция в США
5. Работа в США и значимые открытия
6. Наследие

Юность и образование

Курт Леговец родился в Ледвице, Судетская область, спустя год после окончания Первой мировой войны. После развода родителей он рос в изоляции под строгим контролем матери, что впоследствии привело к комплексу неполноценности. В 1936 году он поступил на отделение физики Карлова университета в Праге.

Оккупация и научная работа

После оккупации Чехословакии Германией в 1939 году факультет подвергся чистке, в результате чего Леговец остался работать под руководством немецкого ученого Бернхарда Гуддена. Под его руководством он изучал фотоэффект в селениде свинца и получил степень доктора философии в 1941 году.

Военная служба и дальнейшие исследования

После получения степени Леговец был призван в вермахт и служил на Восточном фронте. В конце 1941 года его отозвали в Прагу и назначили руководителем группы исследователей в Физическом институте. Он занимался изучением селеновых выпрямителей и открыл влияние примеси таллия на обратную проводимость.

Операция "Скрепка" и иммиграция в США

После гибели Гуддена и части его персонала в 1945 году Леговец бежал на Запад. Он оказался в американском секторе Германии и опубликовал ряд работ по фотоэффекту в полупроводниках. В 1947 году он был завербован в рамках операции "Скрепка" и вывезен в США вместе с другими немецкими учеными.

Работа в США и значимые открытия

Леговец работал в исследовательской лаборатории Корпуса связи армии США в Форт-Монмуте, штат Нью-Джерси. В 1959 году он изобрел и запатентовал технологию изоляции p-n-переходом полупроводниковых приборов. Он также разработал модель пространственного заряда, соавторские работы по светоизлучающему диоду на карбиде кремния, эквивалентную схему и физическую модель МДП-транзистора.

Наследие

Достижения Леговца в области полупроводников были фундаментальными для развития монолитных интегральных схем. Он опубликовал более 100 научных статей и был удостоен престижных наград, в том числе Медали Джона Скотта в 1970 году. Его наследие продолжает вдохновлять других исследователей в области физики и техники полупроводников.